بررسی الکترواپتیکی لایه‌های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلا در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس بازپخت شدند. ضرایب شکست و خاموشی و نوع گذار این لایه­ها در محدوده نور مرئی در ضخامت 200 نانومتر تعیین و اندازه­گیری شده­اند. همچنین طرح الگوی پراش اشعه x و تصویر sem و چرخه ولتامتری لایه­ها نیز مورد مطالعه قرار گرفته­اند. نتایج این مطالعه با توجه به نوع لایه‌نشانی، ضخامت انتخاب شده لایه­ها، نوع زیرلایه انتخابی، بازه دماهای بازپخت و الکترولیت انتخاب شده، در تطابق کامل با کار دیگر محققین است. بنابراین، این لایه­ها با دارا بودن خصوصیاتی نظیر ساختار بلوری، ضرایب شکست و خاموشی یکنواخت در محدوده نور مرئی، پاسخ‌دهی مناسب کرومیکی در تکرار سوئیچ­های پتانسیلی، چسبندگی خوب به زیرلایه، و میزان درصد عبور اپتیکی بالا، بکارگیری در یک قطعه الکترکرومیک کامل را پیشنهاد می­کنند