همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ثابت داریانی رضا ,ابراهیم نسب ستاره
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1393 - دوره : 14 - شماره : 4 - صفحه:242 -248
|
چکیده
|
10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازهگیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش مییافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظت محلول الکترولیت در طول ساخت بوده و کاهش شدت بازتاب به دلیل کاهش ابعاد ذرات است. علاوه بر آن ناحیه مربوط به کمترین (550 nm-650 nm)شدت در طیف بازتابمربوط به گاف انرژی در سیلیکان متخلخل است که انتقال آبی را نیز نشان میدهد. بررسی زبری سطح نمونههای سیلیکان متخلخل با اندازهگیری طیف پراکندگی و با بکار بردن معیار رایلی و معادله دیویس- بنت، انجام شد. طیف پراکندگی نمونهها در زاویههای فرود 10 و 15 و 20 درجه با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر، اندازهگیری شد. شدت نور پراکنده شده با افزایش زاویه پراکندگی به غیر از حالت بازتاب آینهای، کاهش یافت که این با معیار رایلی توافق دارد. همچنین بررسیهای امان نشان دادند. با افزایش زمان خوردگی، درصد تخلخل، ابعاد و تعداد حفرهها افزایش یافته و در نتیجه میزان بیشتری از نور برخوردی جذب میشود و شدت پراکندگی از سطح کاهش خواهد یافت، اما از آنجاییکه شدت پراکندگی با تغییر مقیاس مشاهده، طول موج، تغییر میکند بنابراین شدت پراکندگی و میزان خوردگی نیز با تغییر مقیاس مشاهده تغییر میکند
|
کلیدواژه
|
morphology ,scattering ,roughness ,porous silicon
|
آدرس
|
دانشگاه الزهرا (س), ایران, دانشگاه الزهرا (س), ایران
|
|
|
|
|
|
|