مغناطو مقاومت ناهمسانگرد در لایه‌های نازک la0.4pr0.3ca0.3mno3

در این مقاله، مغناطو مقاومت (mr) و مغناطو مقاومت ناهمسانگرد(amr) لایه ‌های نازک  la_0.4 pr_0.3 ca_0.3 mno_3 (lpcmo) مورد بررسی قرار گرفته است. لایه های نازک lpcmo با استفاده از روش لیزر تپی (pld) بر روی زیرلایه های  و لایه نشانی شده اند. با ضخامت‌سنجی لایه های نازک به روش بازتاب سنجی پرتو ایکس ( xrr)  ضخامت لایه ها حدود 90 نانومتر براورد شد. نمونۀ lpcmo بر روی زیرلایۀ lao به علت تنش تراکمی زیاد دمای گذار عایق- فلز پایین‌تری نسبت به نمونۀ لایه نشانی شده بر روی mgo دارد.  همچنین مقدار mr در لایه های lpcmo/lao  و lpcmo/mgo   به ترتیب 57 و 98 درصد به دست آمد. مقدار amr بیشینه، در لایۀ lpcmo/mgo (80 درصد) نسبت به نمونۀ lpcmo/lao (32 درصد) افزایش قابل ملاحظه‌ای دارد که به لحاظ پتانسیل کاربردی اهمیت زیادی دارد.