اثر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه‌های نازک کادمیوم تلوراید

نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای k 373 و فشار خلا  mpa 2/7 بر روی زیرلایه ‌های شیشه لایه نشانی شده و لایه ‌های نازک با ضخامت حدود  nm100 ساخته شدند. لایه ‌های تهیه شده درون دستگاه طیف سنجی فرابنفش- مرئی (uv-vis)  قرار گرفتند تا خواص اپتیکی لایه ‌های نازک مطالعه شود. به منظور بررسی اثر دمای بازپخت بر خواص اپتیکی لایه‌ های نازک کادمیوم تلوراید، این لایه‌ ها در دماهای k (323-373) بازپخت شدند. طیف ‌های جذب نور از لایه ‌ها قبل و بعد از بازپخت ثبت شدۀ طیف سنجی uv-vis درمحدودۀ طول موج nm 600- 1600 نشان می‌دهند که میزان جذب نور در لایه‌ ها با افزایش دمای بازپخت افزایش یافته است. گاف انرژی اپتیکی لایۀ رشد یافته روند کاهشی را از  ev 1/519 پس از بازپخت دارد. نتایج حاصل از نمودار تاک کاهش گاف انرژی با افزایش دمای بازپخت را نشان می ‌دهد. ضرایب خاموشی و شکست لایه ‌های نازک با افزایش انرژی فوتون و دمای بازپخت افزایش یافتند. تراکم نسبی و قطبش ‌پذیری الکترونی لایه های رشدیافته پس از بازپخت افزایش می ‌یابند. سایر پارامترهای اپتیکی به دست آمده در این کار ازجمله قسمت‌های حقیقی و موهومی ثابت دی الکتریک با افزایش دمای بازپخت افزایش یافتند درحالی که تابع اتلاف انرژی سطحی و حجمی کاهش یافتند. نتایج این کار نشان می ‌دهد لایه ‌های رشدیافتۀ کادمیوم تلوراید که در دمای k 373 بازپخت شدند خواص اپتیکی مطلوب‌تری برای کاربردهای الکترواپتیکی دارند.

annealing temperature effect on optical properties of cadmium telluride thin films

cadmium telluride nanoparticles (cdte nps) were deposited by the thermal evaporation method on glass substrates at a temperature of 373 k and a vacuum pressure of 2.7 mpa, and thin films with the thickness of 100 nm were fabricated. the prepared films were subjected to ultraviolet-visible (uv-vis) spectroscopy to study the optical properties of thin films. to investigate the effect of annealing temperature on the optical properties of cadmium telluride thin films, these films were annealed at temperatures (323-373) k. the light absorption spectra of films before and after annealing were recorded using uv-vis spectroscopy at a wavelength range of 600-1600 nm shows that the value of light absorption by films  increased with the increased annealing temperature. the optical energy bandgap of the grown films has a decrement process from 1.519 ev after annealing. the results of the tauc plot show the decrease in energy bandgap with annealing. extinction and refractive indices increase with increment of photon energy and annealing temperature. the relative density and electronic polarizability of grown films increase after annealing. other optical parameters obtained in this work, including the real and imaginary parts of the dielectric constant, increase, while the surface and volume energy loss functions decrease with increase of the annealing temperature. the results of this work indicate that the deposited cadmium telluride thin films annealed at 373 k have better optical properties for photoelectronic applications.