>
Fa   |   Ar   |   En
   بررسی ابتدا به ساکن خواص الکترونی و ترموالکتریکی تک لایه جدید b2co  
   
نویسنده اشهدی مجتبی ,واحدی فخرآباد داود
منبع پژوهش فيزيك ايران - 1401 - دوره : 22 - شماره : 2 - صفحه:305 -313
چکیده    در این مقاله، خواص ترموالکتریکی تک لایه جدید دو بعدی b2co با استفاده از محاسبات اصول اولیه به دست آمده است. ساختار نواری و چگالی حالت‌های الکترونی بر پایۀ نظریۀ تابعی چگالی با استفاده از بستۀ محاسباتی کوانتوم- اسپرسو (qe)، مورد مطالعه قرار گرفته است. خواص ترموالکتریکی با استفاده از معادلۀ ترابردی نیمه کلاسیکی بولتزمن در تقریب زمان واهلش و در بستۀ محاسباتی boltztrap محاسبه شدند. این خواص ترابرد الکتریکی شامل ضرایب رسانش الکتریکی  (sigma)، رسانندگی گرمایی (κe)، ضریب سیبک (s) و کمیت بدون بعد ضریب ارزشی zt هستند که برای طراحی ادوات ترموالکتریکی مناسب هستند. بر اساس نتایج ما، تک لایه دو بعدی  b2co نشان دهندۀ یک نیم رسانا با گاف نواری غیر مستقیم و با مقدار  1/68 الکترون ولت است. نتایج محاسبات عددی خواص ترابردی تقریباً همسانگرد برای تک لایه دو بعدی  b2co ررا نشان می دهند. به ویژه، مطالعۀ ترموالکتریک تک لایه دو بعدی b2co، عملکرد خوب ترموالکتریکی با ضریب ارزشی بالا را نمایش می دهد، به طوری که نانوساختار b2co یک نیم‌رسانای نوع n است و مقدار ضریب سیبک و ضریب ارزشی در دمای اتاق به ترتیب، 2595v/kµ- و 1 به‌دست آمدند.
کلیدواژه نظریۀ تابعی چگالی، معادلۀ ترابردی بولتزمن، تک لایه b2co، ضریب سیبک، ضریب ارزشی
آدرس دانشگاه سیستان و بلوچستان, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه نیشابور, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
پست الکترونیکی davoud.vahedi@neyshabur.ac.ir
 
   ab initio study of electronic and thermoelectric properties of a new b2co monolayer  
   
Authors ashhadi mojtaba ,vahedi fakhrabad davoud
Abstract    in this work, we present the thermoelectric properties of a novel two-dimensional (2d) b2co monolayer obtained using first principles calculations. we investigated the electronic band structure and density of states based on density functional theory and using the quantum espresso computational package. thermoelectric properties were calculated using the semiclassical boltzmann transport equation in relaxation time approximation and within boltztrap computational package. these electrical transport properties include the electrical conductivity coefficients (sigma), thermal conductivity (κe), the seebeck coefficient (s) and dimensionless figure of merit (zt), which are suitable for designing thermoelectric devices. according to our results, two-dimensional (2d) b2co monolayer indicates an indirect band gap semiconductor with value of 1.68 ev. the numerical results show almost isotropic transport properties for the 2d b2co monolayer. in particular, the thermoelectric study shows a good thermoelectric performance of the 2d b2co monolayer with high figure of merit, so that, the nanostructure of b2co is an n-type semiconductor and seebeck coefficient and figure of merit at room temperature were obtained as -2595 µv/k and 1, respectively.
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved