|
|
|
|
بهینه‌سازی آشکارساز فروقرمز hgcdte در مد فوتورسانایی درناحیۀ طیفی 2-6 میکرومتر
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محمودی شهلا ,اخوندی محمد صادق ,شکری علی اصغر
|
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1400 - دوره : 21 - شماره : 2 - صفحه:401 -407
|
|
چکیده
|
در این مقاله روشی جدید در طراحی و مدل سازی آشکارساز فروقرمز hgcdte ارائه شده است. در این روش پس از بررسی دقیق خواص مکانیکی، نوری، الکترونیکی نیمه رسانای hgcdte وحل معادلات فوتورسانا، برنامۀ نرم‌افزاری معادلات نوشته می‌شود و پارامترهای کلیدی نظیرطول موج، ضخامت، میزان آلایش، با حدس اولیه، چرخش مقادیر آنها و تکرار چرخش وکارایی آشکارساز بهینه شده است. مدل سازی آشکارساز فوتورسانا در دمای 300k ودر ناحیۀ طیفی6-2 میکرومتر صورت گرفته و بر اساس نتایج به دست آمده بیشینۀ آشکارسازی ویژۀ آن 9^10×cmhz^1/2 w^-1 3 در طول موج 5/77 میکرومتر به دست آمده است.
|
|
کلیدواژه
|
نیمه رسانای باند گپ باریک، hgcdte، فوتورسانا، آشکارساز فروقرمز، آشکارسازی ویژه
|
|
آدرس
|
دانشگاه پیام نور مرکز تهران شرق, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه پیام نور مرکز تهران شرق, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه پیام نور مرکز تهران شرق, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Optimization of infrared detector HgCdTe in photoconductive in the spectral region 2-6 µm
|
|
|
|
|
Authors
|
Mahmoody Sh ,Akoundi M ,Shokri; A
|
|
Abstract
|
In this paper a new method in design and modeling of infrared detector HgCdTe in photoconductive mode is presented. In this method after scrutiny mechanical, optical, electrical properties of semiconductor HgCdTe and solving the photoconductive equations, software of equations is programmed and with initial value and repeat cycle, their changes to key parameters such as thickness, wavelength and amount of impurities are calculated and finally, performance of detector is optimized. Modeling of photoconductive detector has been done in temperature of 300K and 26 µm wavelength range, according to obtained results, optimal specific detectivity is 3×109 cmHz1/2W1 in 5.77 µm wavelength.
|
|
Keywords
|
HgCdTe
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|