|
|
|
|
تاثیر آلایش پالادیم بر خواص اپتیکی و الکتروکرومیکی لایه‌های نازک اکسید تنگستن ساخته شده به روش سل- ژل
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حاجیان شیرین ,رنجبر مهدی ,سلامتی هادی
|
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1400 - دوره : 21 - شماره : 2 - صفحه:377 -390
|
|
چکیده
|
در این مقاله لایه‌های نازک اکسید تنگستن آلایش یافته با پالادیم ساخته شدند. برای این منظور سل تنگستیک اسید ایجاد شده به روش کودو و با نسبت‌های مختلف مولی پالادیم کلراید آلایش داده شده و سپس به روش غوطه‌وری سل-ژل بر روی زیر لایه‌های شیشه‌ای رسانای شفاف، لایه نشانی شدند. تاثیر آلایش بر ریخت‌شناسی و خواص اپتیکی و همچنین مشخصۀ الکتروکرومیک به کمک تکنیک‌های تصویربرداری میکروسکوب الکترونی روبشی، اسپکتروسکوپی uv-vis و ولتامتری چرخه‌ای (cv) و همچنین چیدمان اپتیکی ثبت طیف عبور در طول موج 632 نانومتر، بررسی شدند. sem نشان داد لایه‌هایی با ضخامت بین 450 تا 500 نانومتر با سطوح صاف و هموار به دست آمد‌ه‌اند. همچنین لایه‌ها شفافیت بالای 85 درصد داشتند که با افزایش پالادیم گاف اپتیکی کاهش می‌یابد. نتایج ولتامتری نشان داد که، حضور پالادیم باعث کاهش پتانسیل کاتدی، افزایش پایداری شیمیایی لایه‌های نازک تنگستن اکسید و درنتیجه باعث ثبات عملکرد الکتروکرومیکی و این لایه‌ها می‌شود. در نهایت پاسخ زمانی فرایند الکتروکرومیک اندازه‌گیری شد و بازدۀ الکتروشیمیایی مربوطه به دست آمد.
|
|
کلیدواژه
|
پالادیم، اکسید تنگستن، سل ژل، الکتروکرومیک، sem
|
|
آدرس
|
دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The effect of palladium doping on optical and electrochromic properties of sol-gel deposited tungsten oxide films
|
|
|
|
|
Authors
|
Hajian Sh ,Ranjbar M ,Salamati H
|
|
Abstract
|
In this paper, palladium dopedtungsten oxide thin films have been prepared by solgel deposition method. In this way, tungstic acid obtained by Kudo method was doped by different amounts of palladium chloride and were deposited on transparent conductive oxide of ITO/glass by dipcoating method. The effect of Pd doping on morphology and optical properties as well as electrochemical characteristics were investigated using scanning electron microscopic (SEM), UVVis spectroscopy, cyclic voltammetry (CV) and optical transmission at 632.8 nm constant wavelength. SEM revealed that the WO3 layers have a thickness of 450500 nm were obtained with smooth and uniform surfaces. Also, the transparency of layers was above 85%, for which the optical gap was decreased by increasing Pd content. The voltammetry results showed that the doped palladium reduces the catholic potential, increases the chemical stability of tungsten oxide thin films, stabilizing the electrochemical performance of these layers. Finally, we measured the electrochromic response time and the corresponding electrochemical efficiencies
|
|
Keywords
|
SEM
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|