|
|
|
|
مطالعه نانو صفحات گرافن توسط طیف نگاری رامن و اندازه‌گیری مقاومت ویژه آن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
قاسمی ندا ,ذوالفقاری محمود
|
|
منبع
|
پژوهش فيزيك ايران - 1398 - دوره : 19 - شماره : 2 - صفحه:349 -358
|
|
چکیده
|
گرافن یک گزینه مناسب برای استفاده در الکترونیک با سرعت بالا در آینده است. یک لایه نازک از کربن خالص، که در آن هر اتم برای واکنش شیمیایی از دو طرف (به علت ساختار d 2) در دسترس است. این تنها شکل کربن (یا ماده جامد) با این ویژگی مشخص است. اکسید گرافن (go) از طریق اکسیداسیون گرافیت به روش هومر، که در آن مدت زمان اکسایش طولانی با یک روش بسیار موثر برای خالص سازی محصولات واکنش، ترکیب شده است، سنتز شد. برای احیایgo، پس از اضافه کردن اسید اسکوربیک، نمونه بازپخت حرارتی شد. برای بررسی ساختار go و g، از تصویر برداری میکروسکوپ الکترونی عبوری و همچنین طیف رامن نمونه ها استفاده شد. جهت محاسبه مقاومت ویژه گرافن، ضخامت گرافن به طریق اپتیکی به دست آمد. نتایج رامن نشان می دهد که پس از احیای اکسید گرافن به گرافن مد d (اغتشاش) به سمت عدد موج بالاتر جابه جا شده، در حالی که مد g به سمت عدد موج پایین تر به همراه افزایش شدت جابه جا می شود.
|
|
کلیدواژه
|
گرافن، اکسید گرافن، روش اکسایش هامر، میکروسکوپ الکترونی عبوری، طیف نگاری رامن، واپیچش
|
|
آدرس
|
دانشگاه سیستان و بلوچستان, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه سیستان و بلوچستان, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
mzolfaghari@phys.usb.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Raman spectroscopy study of nano sheets of graphene and measurement of their resistivity
|
|
|
|
|
Authors
|
Ghassemi N ,Zolfaghari M
|
|
Abstract
|
Graphene is a promising candidate for future highspeed electronics applications. It is a thin layer of pure carbon in which every atom is available for chemical reaction from two sides (due to the 2D structure). This is the only form of carbon (or solid material) with this characteristic feature. Graphene oxide (GO) was synthesized through the oxidation of graphite using the Hummer rsquo;s method, in which a long oxidation time was combined with a highly effective method for purifying the reaction products. To reduce GO, after the addition of ascorbic acid, the sample was thermally annealed. To verify the structure of GO and G, the transmission electron microscopy images as well as Raman spectra of the samples were obtained. The thickness of the graphene layer was obtained by optical measurement and used to calculate the resistivity of graphene. Rama results showed the D (distorted) mode shifted towards the higher wavenumbers, whereas the G mode shifted towards the lower wavenumbers, with an increase in intensity after the reduction of graphene oxide to graphene.
|
|
Keywords
|
graphene ,graphene oxide ,Hummer oxidation method ,transmission electron microscopy ,Raman spectroscopy ,deconvoluted
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|