خواص الکتریکی و مغناطو مقاومت بین دانه ای در نانو منگنایت La0.7(Sr 1-Xbax)0.3mno3

در این تحقیق نانومنگنایت la0.7(sr 1xbax)0.3mno3به صورت تک فاز و با اندازه بلورکهای بین 18 تا 28 نانومتر به روش سل ژل ساخته شده است. خواص ساختاری نمونه ها با اندازه گیری طیف پراش پرتو ایکس همراه با تحلیل ریتولد آنها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شده است. خواص مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب دما و خواص الکتریکی با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما و در حضور میدانهای مغناطیسی تاkoe 20 بررسی شده است. نتایج به دست آمده از پذیرفتاری مغناطیسی نشان می دهد که دمای کوری نمونه ها بالاتر از دمای اتاق است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نشان می دهد که دمای گذار فاز عایقفلز در دو ترکیبو به دماهای پائین تر از دمای اتاق کاهش یافته است. با اعمال میدان مغناطیسی مقاومت الکتریکی این نمونه ها به شدت کاهش می یابد و در دماهای مختلف، مقدار مغناطومقاومت تقریباً به صورت خطی با افزایش میدان مغناطیسی افزایش می یابد. مقدار مغناطومقاومت در میدان اعمالیkoe 20 در نمونه در دمای 275 کلوین، % 10 و در دمای 200 کلوین% 14 است. این مقدار برای ترکیبدر دمای 275 کلوین، % 13ودر دمای 100 کلوین % 27 می باشد. مقادیر به دست آمده برای مغناطومقاومت برای کاربرد در سنسورهای مغناطیسی مناسب می باشند. تغییرات دیده شده در خواص الکتریکی نانو منگنایتبر حسب پراکندگی اسپینی حاملهای بار از مرزدانه ها و تونل زنی وابسته به اسپین آنها در بین دانه ها توصیف شده است.