بررسی تغییرات پارامترهای ساختاری نانوسیم‌های مغناطیسی نیکل بر بازده الکترونهشت

در این پژوهش، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس acدرون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیرتعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. نمونه با شرایط الکتروانباشت عبارت اند از، جریان ثابت 15 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10 و 20 درجه سانتی گراد و دمای الکترولیت 30 درجه سانتی گراد تهیه گردید. و تاثیر ولتاژ نازک سازی لایه سدی و دمای بستر روی بازده الکتروانباشت مورد بررسی قرارگرفت و از آنالیزهایvsm و sem استفاده شده است. در این پژوهش متوجه شدیم که در دمای بستر 10 درجه سانتی گراد با افزایش ضخامت لایه سدی، بازده نهشت کاهش می یابد و در دمای 20 درجه نتیجه عکس خواهد بود.