بررسی سطوح انرژی عمقی و سطحی در نانوساختارهای اکسید روی

در این تحقیق به توضیح و بررسی مفاهیم کلی سطوح انرژی سطحی و عمقی به عنوان یکی از عمده مشکلاتی که موجب عدم شرکت صحیح پذیرنده ها در خواص الکتریکی دلخواه در شبکه نیمرساناهای دارای گاف انرژی پهن و به طور مشخص اکسیدروی نوع مثبت میگردد، پرداخته و سپس نگاهی بر سطوح انرژی هریک از نقصان های ذاتی شبکه اکسیدروی خواهد شد. به نظر می رسد دقت در جایگاه قرارگیری تراز انرژی دوپنت های انتخابی میتواند سهم بسزایی در بهینه سازی کیفیت نانوساختارهای اکسیدروی داشته باشد.