بررسی اثرات دوپینگ مشترک فلزات واسطه 3d-4d بر روی خواص نانوساختارهای تک لایه دو بعدی pds2

در این مقاله محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (dft)پلاریزه اسپین برای مطالعه خواص مغناطیسی و الکترونیکی سیستم‌تک لایه دی نانوساختار pds2 با دوپینگ جایگزینی همزمان فلزات واسطه 3d-4d انجام می‌شود. در حضور جفت اتم های cr-mo وmn-tc ساختار خالص غیرمغناطیسی، خاصیت مغناطیسی با مقادیر مغناطش بترتیب 3.83µb و 1.60µb پیدا می کند. همچنین مقدار گاف انرژی اولیه ی 1.17ev به میزان قابل توجه ای کاهش یافته و به مقادیر گاف انرژی اسپینی بالا-پایین مختلف بترتیب (eg=0.48ev,eg=0.23ev) و (eg=0.43ev,eg=0.3ev) برای دوپینگ فلزات cr-mo وmn-tc تقلیل پیدا می کند.نتایج نشان میدهد که ساختار خالص نیمه هادی غیرمغناطیسی pds2 با دوپینگ فلزات fe-ru (co-rh) به ساختارهای مغناطیسی بترتیب با مقدار مغناطش های 3.26µb (1µb) تبدیل می شود.همچنین خاصیت نیمه فلزی با مقدار شکاف باند انرژی اسپین (eg=0.54ev) eg=0.25ev کسب می کند که اساس ساخت وسایل اسپینرونیک-والیترونیک محسوب می شود.بغیر از جفت فلزاتti-zr وcu-ag که ویژگی فلزی به سیستم می بخشند سایر دوپینگ های جفت sc-y ، v-nb ، ni-pd وzn-cd نقش مغناطیسی و الکترونیکی قابل توجه ای در ساختار بازی نمی کنند.

studying the effects of 3d-4d tm co-doping on the properties of 2d monolayer pds₂ nanostructures

in this paper, first-principles calculations based on density functional theory (dft) of spin polarization are performed to study the magnetic and electronic properties of the nanostructured pds2 monolayer system with co-doping of 3d-4d transition metal substitution.in the presence of pairs of cr-mo and mn-tc atoms, the pristine non-magnetic system get magnetic with values of 3.83µb and 1.60µb, respectively. also, the value of the initial energy gap of 1.2ev is significantly reduced and for doping cr-mo and mn-tc impurities, the up-down spin gaps of (eg=0.48ev, eg=0.23ev) and (eg=0.43ev, eg=0.3ev) can be obtained. the findings indicate that the originally non-magnetic pds2 semiconductor, when doped with fe-ru or co-rh transition metals, transitions to a magnetic system,exhibiting a magnetic moments 3.26µb (1y µb). it also acquires the semi-metallic property with the spin band gap (eg=0.54ev) eg=0.25ev, which is considered the basis for the construction of spintronic-valleytronics devices. apart from pairs of ti-zr and cu-ag tm that give the system a metallic character, other doping sc-y, v-nb, ni-pd and zn-cd play a weakly magnetic and electronic role in the structure.