طراحی و شبیه‌سازی نانو سنسور مبتنی بر رزوناتور حلقه مربعی فوتونیک کریستالی برای اندازه‌گیری فشار
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
کاظمی اسفه پردیس ,اعلایی زهرا
|
|
منبع
|
دنياي نانو - 1398 - دوره : 15 - شماره : 56 - صفحه:28 -35
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک نانو سنسور مبتنی بر رزوناتور حلقه مربعی فوتونیک کریستالی برای اندازه گیری فشار طراحی و شبیه سازی شده است که عملکرد آن بر اساس تغییرات ضریب شکست سیلیکون و طول موج رزونانس می باشد. این نانو سنسور برای اندازه گیری فشار در محدوده gpa 0 تا gpa 8 پیشنهاد شده است. برای تشخیص محدوده طول موج رزونانس سنسور فشار، در محاسبه شکاف باند فوتونی از روش بسط امواج تخت و همچنین برای به دست آوردن پارامترهای عملیاتی سنسور از روش تفاضل متناهی در حوزه زمان استفاده شده است. مقدار حساسیت و فاکتور کیفیت نانو سنسور فشار طراحی شده به ترتیب برابرnm/gpa 8 و 995.55 است. ساختار سنسور به علت سایز کوچک و فشرده، مناسب برای استفاده در صنعت نانوالکترو مکانیک نوری و فناری‌های نانو می‌باشد.
|
|
کلیدواژه
|
حسگر نوری، حسگر فشار، فوتونیک کریستال، فاکتور کیفیت، حساسیت
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|