تاثیر کنترل دما بر روی ضخامت و یکنواختی لایه‌های کربنی در روش cvd

نتایج این تحقیق موفق به دستیابی فیلمی یکنواخت و بسیار نازک از گرافن رشد یافته بر روی بستر سیلیکا به روش رسوب دهی بخار شیمیائی شده است که با تنظیم شرایط دمائی کوره در سه منطقه با دماهای 1100 و 950 و 800 درجه سانتی گراد منجر به کنترل فرایند رشد گرافن با پدیدة چیدمان خود محدود کننده شده که حداکثر توان رشد صفحه ای دو لایه از گرافن را دارد. این فرایند در سه مرحله دو مکانسیم شکست خوراک و هسته زائی همراه با رشد گرافن را بیان می کند. آنالیزهای تصویر برداری afm، طیف سنجی رامان و تصویر tem به بررسی وضعیت ساختاری گرافن سنتز شده می پردازند و نتایج آنرا با گرافن رشد یافته بر بستر مسی مقایسه می کند نتایج بدست آمده حاکی از آن است که گرافن سنتز شده از نظر کیفی، نواقص ساختاری، ضخامت و یکنواختی وضعیت بسیار مطلوب تری داشته و در کاربردهای الکترونیک که بزرگترین حوزه کاربرد گرافن است بسیار مناسب و مفید خواهد بود.