ساخت و بررسی خواص دی الکتریک سرامیک‌های اکسیدروی آلائیده به هافنیوم

در این کار پژوهشی، برای اولین بار با تکنولوژی ساده سل ژل، اثر ناخالصی عنصر ارزان قیمت و غیرسمی هافنیوم بر روی خواص دی‌الکتریکی نانوذرات اکسیدروی بررسی شد و ثابت‌های دی‌الکتریک با بالاترین مرتبه به دست آمدند. ویژگی های ساختاری اکسیدروی آلایئده به هافنیوم با اندازه بلورک 0.5 تا 1 میکرومتر بررسی شد. این ساختارها با استفاده از پراش پرتوایکس xrd و میکروسکوپ الکترونی روبشی sem و همچنین میکروسکوپ الکترونی عبوری tem بررسی گردیدند. حضور هافنیوم توسط مشخصه‌یابیedx در ساختار تایید شد. نتایج بدست آمده نشان دادند که سرامیکهای zno:hf با بالاترین ثابت دیالکتریک به دست آمده تا کنون ازمرتبه 11^10 ، برای آینده نانو الکترونیک میتوانند بسیار امید بخش باشند.