|
|
اثربخشی تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای بر انعطافپذیری شناختی و فراخنای حافظه بیماران مبتلا به اختلال صرع لوب گیجگاهی
|
|
|
|
|
نویسنده
|
آزموده شهین ,سلیمانی اسماعیل ,عیسیزادگان علی
|
منبع
|
روانشناسي باليني و شخصيت - 1399 - دوره : 18 - شماره : 2 - صفحه:81 -93
|
چکیده
|
مقدمه: صرعیک بیماری نورولوژیکی و مزمن میباشد که دستگاه عصبی مرکزی را درگیر میکند. این اختلال تاثیرات منفی بر تواناییهای شناختی دارد. هدف از این مطالعه، بررسی اثربخشی تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای بر انعطافپذیری شناختی و فراخنای حافظه بیماران مبتلا به اختلال صرع لوب گیجگاهی میباشد.روش: مطالعه حاضر دارای طرح نیمهآزمایشی با پیشآزمون - پسآزمون بوده و بر روی دو گروه آزمایشی و کنترل اجرا شد. نمونه آماری شامل 30 نفر از بیماران صرعی بود که برای درمان به مراکز درمانی خصوصی شهرستان ارومیه مراجعه کرده بودند. توانمندیهای شناختی با استفاده از پرسشنامه انعطافپذیری شناختی و مقیاس حافظهی عددی وکسلر سنجیده شدند. پس از انجام پیشآزمون، 15 نفر به صورت تصادفی در گروه آزمایش و 15 نفر در گروه کنترل قرار گرفتند. بیماران در گروه آزمایشی تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای را به مدت 10 جلسه با شدت 5/1 میلیآمپر و به مدت 20 دقیقه دریافت کردند. الکترود آند در ناحیهی اف 3 و الکترود کاتد در اف 4 قرارگرفت. سپس پسآزمون برای هر دو گروه اجرا شد و نتایج با استفاده از تحلیل کوواریانس چندمتغیره مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت.نتایج:نتایج حاصل از تحلیل نشان داد که بین دو گروه از نظر انعطافپذیری شناختی و فراخنای حافظه تفاوت معنیداری وجود دارد؛ بدین معنی که روش مداخلهی تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای موجب ارتقای میانگین نمرهی انعطافپذیری شناختی و نیز فراخنای حافظه در بیماران شده است.بحث و نتیجهگیری: نتایج نشان داد که تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای میتواند، مداخلهای موثر در راستای بهبود انعطافپذیری شناختی و حافظهی فعال در افراد مبتلا به اختلال صرع باشد؛ و پزشکان و روانشناسان فعال در این حوزه میتوانند در کنار سایر مداخلات جهت حل مشکلات شناختی بیماران، از این روش نیز بهرهگیرند.
|
کلیدواژه
|
انعطافپذیری شناختی، تحریک الکتریکی مستقیم فراجمجمهای، حافظه، صرع
|
آدرس
|
دانشگاه ارومیه, گروه روانشناسی, ایران, دانشگاه ارومیه, گروه روانشناسی, ایران, دانشگاه ارومیه, گروه روانشناسی, ایران
|
پست الکترونیکی
|
ali_issazadeg@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Effect of transcranial Direct Current Stimulation on the Cognitive Flexibility and Memory Span in Patients suffering from Temporal Lobe Epilepsy
|
|
|
Authors
|
Azmoodeh shahin
|
Abstract
|
Epilepsy is a neurological and chronic disorder that affects the central nervous system. This disorder has negative effects on cognitive abilities. The purpose of the current study was to evaluate the effectiveness of transcranial direct current stimulation on cognitive flexibility and memory span in patients suffering from epilepsy in the temporal lobe.The present study had a semi-experimental design including a pre and post-test, and performed in two experimental and control groups. The sample consists of 30 patients with epilepsy who referred for treatment to private health centers in Urmia. Cognitive abilities were measured via Cognitive Flexibility questionnaire and Wechsler Numerical Memory Scale. After the pretest, 15 subjects were randomly assigned to the experimental group and 15 subjects were placed in the control group. Patients in the experimental group were given transcranial direct current stimulation for 10 sessions in which a current with 1.5 mA and for 20 minutes. Anode electrode was placed in the F3 region and cathode electrode in F4. Then posttest was conducted for both groups and data were analyzed by multivariate covariance analysis.Results showed that there were significant differences between groups in terms of cognitive flexibility and memory span. This means that transcranial direct current stimulation can improve cognitive flexibility and memory span in patients with temporal lobe epilepsy.The results demonstrated that transcranial direct current stimulation could be used as an effective intervention to improve cognitive flexibility and working memory for patients with epilepsy so physicians and psychologists who are active in this field can use this method, along with other interventions to solve cognitive problems of these patients.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|