ارزیابی پارامترهای مدل سد شاتکی دوگانه در وریستور اکسید قلع دوپ شده با کربنات کلسیم

در این تحقیق، به بررسی تاثیر کربنات کلسیم بر ریزساختار و خواص الکتریکی سیستم کاربردی وریستور بر پایه اکسید قلع پرداخته شد. افزودن کربنات کلسیم تا 25/0 درصد مولی، سبب رشد دانه تا 5/4 میکرومتر و افزودن بیشتر از آن سبب کاهش رشد دانه شده است. هر چند ضریب غیرخطی وریستور با افزودن کربنات کلسیم کاهش یافته است اما ضریب غیرخطی اصلاح شده از مقدار 3/10 در نمونه بدون کربنات کلسیم تا مقدار ماکزیمم 14 در نمونه حاوی 25/0 درصد مولی کربنات کلسیم افزایش یافته است. محاسبات پارامترهای مدل سد شاتکی در مرزدانه نشان داد که نمونه حاوی 25/0 درصد مولی کربنات کلسیم حاوی کوچکترین ناحیه تخلیه 40 نانومتر و بیشترین ارتفاع سد شاتکی 2/2 الکترون ولت است که سبب ایجاد بالاترین ضریب غیرخطی اصلاح شده می شوند.