|
|
|
|
تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
خاتمی محمدمهدی ,شالچیان مجید ,کلاهدوز محمدرضا
|
|
منبع
|
مهندسي برق و الكترونيك ايران - 1395 - دوره : 13 - شماره : 4 - صفحه:41 -49
|
|
چکیده
|
در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه می شود و سپس بوسیله ی شبیه ساز، نتایج بررسی می گردد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از 410 برابر کاهش می یابد. این روش در طول کانال های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می گردد.
|
|
کلیدواژه
|
نانو ماسفت کرنشی نوع p، جریان حالت خاموش، چاه کوانتومی، کانال پارازیتی، بستر مجازی
|
|
آدرس
|
دانشگاه تربیت مدرس, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران, دانشگاه صنعتی امیرکبیر, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه تهران, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
kolahdouz@ut.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Analysis and Improvement of Off-state Current in Biaxially Strained Si Nano p-MOSFET by Virtual Substrate’s Doping Control
|
|
|
|
|
Authors
|
Khatami Mohammad Mahdi ,Shalchian Majid ,Kolahdouz Mohammadreza
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|