>
Fa   |   Ar   |   En
   مجتمع سازی حافظه فلاش با استفاده از یک لایه پلی - سیلیکان در پروسه متداول 0.25 CMOS میکرومتر  
   
نویسنده شالچیان مجید ,عطاردی مجتبی
منبع مهندسي برق و الكترونيك ايران - 1383 - دوره : 1 - شماره : 2 - صفحه:3 -9
  
آدرس دانشگاه صنعتی شریف, پژوهشکده میکروالکترونیک ایران, , ایران, دانشگاه صنعتی شریف, پژوهشکده میکروالکترونیک ایران, ایران
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved