طراحی جبرانسازی فرکانسی تقویت کننده سه طبقه cmos ota ، قابل اعمال در اندازه گیری دما توسط rtd

پارامترهای فرآیند در صنعت یا نیروگاه باید به طور مداوم نظارت و کنترل شوند دما یکی از مهمترین پارامترهایی است که باید توسط rtd کنترل شود که برای تنظیم دامنه سیگنال از تقویت کننده در خروجی پل وتستون بکار برده میشود. در این مقاله یک طرح جدید برای تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی سه طبقه cmos پیشنهاد شده است. ساختار ارائه شده مسیر پیشرو را حذف کرده و مسیر فیدبک را در شبکه جبران ،سازی به طور همزمان تقویت میکند همچنین مدار ارائه شده تنها از یک خازن کوچک جبران ساز استفاده می.کند شبیه سازی مدار پیشنهادی با استفاده از تکنولوژی cmos 0.18 um در شبیه ساز hspice انجام شده و با تحلیل تئوری اعتبار سنجی شده است که نتایج شبیه سازی صحت تحلیل تئوری را تایید میکنند. پاسخ فرکانس تقویت کننده پیشنهادی نشان میدهد که بهره dc مدار در حدود 120db و پهنای باند مدار mhz 18/8 با حاشیه فاز 88° میباشند. تلفات توان مدار پیشنهادی نسبتاً خیلی پایین و در حدود μw 544 به ازای منبع تغذیه 1/8 ولتی میباشد که نشان میدهد مدار پیشنهادی دارای ضرایب شایستگی و کارایی بالایی میباشد.

providing an optimal compensation method in three stage cmos ota amplifier that can be used in temperature measurement by rtd

in recent years, process parameters in industry or power plant must be continuously monitored and controlled. temperature is one of the most important parameters that must be controlled by the rtd, which is used to adjust the signal amplitude from the amplifier at the output of the wheatstone bridge. in this paper, a new design for three-stage cmos operational transconductance amplifier is proposed. the proposed structure eliminates the feedforward path and strengthens the feedback path in the compensation network at the same time. also, the presented circuit uses only a small compensation capacitor, which alleviates the chip area. the simulation of the proposed circuit has been done using 0.18 μm cmos technology in the hspice simulator and it has been validated by theoretical analysis, and the simulation results confirm the correctness of the theoretical analysis. the frequency response of the proposed amplifier shows that the dc gain of the circuit is on the order of 120 db and the bandwidth of the circuit is 18.8 mhz with a phase margin of 88°. the power dissipation of the proposed circuit is fairly very small and is about 515 μw in 1.8 v power supply, which shows that the proposed circuit has high efficiency and efficiency coefficients.