تحلیل اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمودی بر انتشار امواج الکتریکی عرضی در سیلیسن تک‌لایه

در این مقاله ما به صورت تحلیی اثرات دمایی و میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن را روی محدوده انتشار امواج الکتریکی عرضی  در محدوده فرکانسی 1 تا  30 تراهرتز مورد بررسی قرار داده ایم. ساختار اتمی تک لایه سیلیسن برخلاف گرافن، مسطح نیست و همین موضوع باعث شده، رسانایی سطحی سیلیسن علاوه بر تراز فرمی، با میدان الکتریکی عمود بر سطح سیلیسن نیز قابل تنظیم باشد. این ویژگی باعث می شود که سیلیسن نسبت به گرافن در محدوده وسیعتری بتواند امواج الکتریکی عرضی را منتشر کند. طبق نتایج شبیه سازی بر پایه معادلات کوبو، به ازای میدان الکتریکی عمودی mv/å 100، پهنای باند انتشار امواج الکتریکی عرضی در دماهای k 5، k 100، k 200 و k 300 به ترتیب برابر با thz 9.2، thz 8، thz 3.1 و thz 0.9 است. با افزایش میدان الکتریکی عمودی به mv/å 200، پهنای باند برای دماهای مذکور به ترتیب برابر با thz 20.7، thz 20.6، thz 16.7 و thz 11.7 خواهد بود. در میدان الکتریکی عمودی mv/å 300 این مقادیر به ترتیب ذکر شده برابر با thz 29، thz 28.8، thz 26.4 و thz 21.8 می‌شوند. همچنین طول حبس امواج te در محدوده‌های انتشار نیز بدست آمده است که نشان می‌دهد با افزایش دما طول حبس زیاد خواهد شد.

analysis of the effects of temperature and vertical electric field on the propagation of transverse electric waves in silicene monolayer

in this paper, we have analytically investigated the effects of temperature and electric field perpendicular to the silicene surface on the transverse electric wave propagation range in the frequency range of 1 to 30 thz. unlike graphene, the atomic structure of a silicene composite is not flat, which makes the surface conductivity of silicene, in addition to the fermi level, adjustable with an electric field perpendicular to the silicene surface. this property allows silicene to emit transverse electric waves over a wider range than graphene. according to the simulation results based on kubo equations, per vertical electric field of 100 mv/å, the propagation bandwidth of te waves at temperatures of 5 k, 100 k, 200 k and 300 k are equal to 9.2 thz, thz 8, 1.3 thz and 0.9 thz, respectively. by increasing the vertical electric field to 200 mv/å, the bandwidth for these temperatures will be 20.7 thz, 20.6 thz, 16.7 thz and 11.7 thz, respectively. in the vertical electric field to 300 mv/å, these values ​​are 29 thz, 28.8 thz, 26.4 thz and 21.8 thz, respectively. the confinement length of te waves in the propagation ranges has also been obtained, which has increased the trapping length with increasing temperature.