آینه جریان توان پایین مبتنی بر ماسفت با گیت شبه شناور

امروزه پیشرفت فناوری و کوچک شدن افزاره‌ها و تراشه‌ها در دستگاه‌های الکترونیکی به همراه تقاضا برای قابل حمل بودن آنها و کارکرد آنها برای مدت زمان بیشتر، چالش های بزرگی از جمله کاهش توان مصرفی و ولتاژ تغذیه پایین را پیش روی طراحان مدارات مجتمع آنالوگ قرار داده است. آینه جریان از اجزاء مهم طراحی مدارهای آنالوگ و از پرکاربردترین آنها است که در آن مصرف توان تحت تاثیر ولتاژ تغذیه است. بنابراین، توسعه ساختارهای آینه جریان با ولتاژ پایین و توان کم برای مطابقت با الزامات طراحی cmos ضروری است. در این پژوهش یک آینه جریان توان کم ولتاژ پایین با استفاده از ساختار کسکود و تکنیک ماسفت با گیت شبه شناور طراحی شده است که برای بالا بردن مقاومت خروجی آن از تقویت کننده دو طبقه مبتنی بر تکنیک افزاینده بهره استفاده شده است. شبیه‌سازی‌ها با محیط شبیه‌سازی spice و فناوریcmos  180 نانومترtsmc  صورت گرفته است. آینه جریان پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 0.3± ولت کار می کند و مقاومت‌های ورودی و خروجی آن به ترتیب ω 48 و mω 432 است و پهنای باند آن mhz 244.2 بدست آمده است. مزیت اصلی آینه جریان پیشنهادی نسبت به کارهای مشابه، توان مصرفی پایین آن به مقدار µw 14.03 می‌باشد.

quasi-floating gate mosfet-based low power current mirror

today, the advancement of technology and the miniaturization of devices and chips in electronic apparatuses along with the demand for their portability and their operation for a longer period of time, have put great challenges in front of the designers of analog integrated circuits. current mirror is an important component in the design of analog circuits and one of the most widely used circuits in which the power consumption is influenced by the supply voltage. therefore, it is necessary to develop structures of low-voltage and low-power current mirrors to meet the requirements of cmos design. in this paper, a low-voltage low-power current mirror has been designed using cascode structure in combination with quasi-floating gate mosfet technique, and two stages gain boosting amplifiers have been used to increase its output resistance. for this purpose, spice simulation environment has been used considering tsmc 180 nm cmos technology. the proposed current mirror employs a supply voltage of ±0.3v and its input and output resistances are 48 ω and 432 mω, respectively, and its bandwidth is 244.2 mhz. the main advance of the proposed current mirror in comparison to similar works is its low power consumption of 14.03 µw.