|
|
|
|
محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حیدرزاده دهکردی مجید ,دقیقی آرش ,سپهری زهرا
|
|
منبع
|
مهندسي برق و الكترونيك ايران - 1403 - دوره : 21 - شماره : 1 - صفحه:17 -25
|
|
چکیده
|
در این مقاله، برای اولین بار، پتانسیل توزیع شده در گیت جلویی و گیت پشتی به کمک حل معادلات پوواسون دو بعدی در کانال ادوات سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک تخلیه کامل محاسبه گردیده است. سپس با توجه به تعریف ولتاژ آستانه رابطه کلی ولتاژ آستانه این افزاره استخراج گردیده است. معادلات پوواسون محاسبه شده برای گیت جلویی و پشتی با در نظر گرفتن تقریب تغییرات سهمی وار پتانسیل بین مرز گیت جلویی و پشتی برای مقادیر پایین ولتاژ درین و با استفاده از مدل خازنی افزاره انجام گردیده است. با محاسبه پتانسیل در بدنه ترانزیستور با طول کانال 22 نانومتر و مقایسه آن با نتایج شبیه سازی ماسفت، تقریب بسیار خوبی در ولتاژهای درین کم بدست آمده است. تغییرات ضخامت عایق گیت، فیلم سیلیکونی، عایق دوم و عایق اول بر روی ولتاژ آستانه نشان داده شده است. مقایسه این مقادیر با نتایج شبیه سازی ساختار ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه، بیانگر تقریب بسیار خوب معادلات تحلیلی میباشد و کاربرد نتایج حاصل در این مقاله برای محاسبات ولتاژ آستانه را متضمن می شود.
|
|
کلیدواژه
|
ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه، معادلات پوواسون دوبعدی، توزیع پتانسیل، ماسفت
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی و مهندسی, ایران, دانشگاه شهرکرد, دانشکده فنی و مهندسی, ایران, دانشگاه صنعتی اصفهان, دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
za.sepehri@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
an analytical computation of threshold voltage for ultra-thin double insulating silicon-on-diamond mosfet
|
|
|
|
|
Authors
|
daghighi arash ,sepehri zahra
|
|
Abstract
|
in this paper, for the first time, the distributed potentials in the front and back gate of ultra-thin-body (utb) double-insulating (di) silicon-on-diamond (sod) mosfet are computed. the back gate and front gate threshold voltages of the device are computed. using parabolic potential distribution in the body of the device, the poison’s equation is solved. promising results are obtained for front and back gate threshold voltages comparing with the 22nm utb di sod and the device simulation results. the gate insulator thickness, the silicon film thickness, the insulator 1 and 2 thicknesses are varied and the front and back gate threshold voltages are computed while comparing the device simulation results. lower than 20 mv estimation of the threshold voltages using the analytical computations, dictates promising results incorporating the device capacitive model. the analytical findings are encouraging for threshold voltage estimation of utb di sod mosfets.
|
|
Keywords
|
ultra-thin-body ,double insulating sod ,2 dimensional poisons’ equation ,potential distribution ,mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|