ارائه ساختار مقایسه‌ کننده سه‌ سطحی چند‌ ورودی کامل بر پایه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی

رشد فزاینده اندازه داده ها در سیستم های پردازشی دیجیتال، باعث افزایش تعداد اتصالات بین بلوک های مختلف سیستم های پردازشی شده است، یک راهکار این است که با استفاده از طراحی و پیاده سازی سیستم های پردازشی چند سطحی، اندازه داده های پردازشی را کاهش داد، از طرفی مساله مهم در پیاده سازی سیستم های پردازشی چند سطحی، استفاده از ترانزیستورهای است که قابلیت پیاده سازی سیستم های چند ارزشی را داشته باشند. بخاطر قابلیت ویژه ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی در تنظیم ولتاژ آستانه مختلف، این ترانزیستورها گزینه مناسبی برای پیاده سازی سیستم های چند سطحی است و در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه هادی در پیاده سازی سیستم های چند سطحی انتخاب بهتری می باشد. در این مقاله گزارشی از پیاده سازی مقایسه کننده سه سطحی تک رقمی و دو رقمی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی ارائه شده است. نتایج شبیه سازی در محیط نرم افزار hspice نشان می دهد توان مصرفی مقایسه کننده سه سطحی دو رقمی 0.55 میکروات و زمان تاخیر انتشار 70 پیکو ثانیه می باشد، ضمناً پیاده سازی مقایسه کننده های پیشنهادی بر پایه تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی 32 نانو متر انجام شده است.

presentation of multi inputs full ternary comparator with carbon nano tube field effect transistor

 the increasing growth of processing data size in digital systems has increased the number of connections between processing systems, which requires a lot of space to establish communication with other processing systems. the design and implementation of multi value level processing systems reduce the size of processing data. on the other hand, the important issue in the implementation of multi-level processing systems is problems and complications of design. the use of substitute transistors such as nano-carbon tube field effect transistors instead of metal oxide semiconductor field effect transistors while reducing design problems in nano dimensions is functionally more suitable than metal oxide semiconductor field effect transistors. in this article, a report on the implementation of a multi inputs full ternary comparator based on carbon nanotube field effect transistor technology is presented. the implementation report of the one digit and two-digit ternary comparator at the transistor level has been done in this article, and the implementation method of the multi-input ternary comparator has also been presented. the simulation results in the hspice software environment show that the power consumption of the proposed comparator is 0.55 µw and the propagation delay time is 70 ps. in addition, the proposed comparator has been implemented based on 32 nm carbon nanotube field effect transistors technology.