|
|
|
|
طراحی تقویت کننده هدایت انتقالی توان پایین، ولتاژ پایین خودبایاس شونده با ترانزیستورهای فین فت
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حسن زاده علیرضا ,شیرازی مهدی
|
|
منبع
|
مهندسي برق و الكترونيك ايران - 1400 - دوره : 18 - شماره : 4 - صفحه:37 -47
|
|
چکیده
|
در این مقاله،یک تقویت کننده هدایت انتقالی ولتاژ پایین برای کاربردهای توان پایین با استفاده ازترانزیستورهای گیت مجزا فین فت طراحی و شبیه سازی شده است. در طراحی این مدار برای ایجاد ورودی با دامنه تا ولتاژ تغذیه از روش زوج شبه تفاضلی در طبقه ورودی و روش خودبایاس شونده استفاده شده است. از سوی دیگر با استفاده از فین فت گیت مجزا به جای سی‌ماس می توان پاسخ فرکانسی و بهره را بهبود بخشید بدون آنکه توان اضافی مصرف شود. در مدل فین فت استفاده شده به دلیل دارا بودن دو گیت مجزا، می توان از یک گیت برای بایاس ترانزیستور و از گیت دیگر برای اعمال ورودی استفاده نمود. این مدار برای جبران سازی فرکانسی از سیستم dfc بهره برده است تا میزان خازن های جبران سازی کوچک شوند. برای طراحی مدار تقویت کننده هدایت انتقالی از مدل فین فت 20nm براساس مدل ptm استفاده شده است. در نهایت نتایج شبیه سازی با hspice مقدار بهره 39.27 db، حاشیه فاز 45.05o و فرکانس بهره واحد 8.26 mhz به ازای خازن بار 3 pf با توان تلفاتی نهایی 37.75 μw می باشد. مقدار ولتاژ dc خروجی نیز در ولتاژ تغذیه vdd=0.5 v برابر 0.269 v قرارداده شده است.
|
|
کلیدواژه
|
توان پایین، ولتاژ پایین، تقویت کننده هدایت انتقالی، فین فت گیت مجزا.
|
|
آدرس
|
دانشگاه شهید بهشتی, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, دانشکده مهندسی برق, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
mah.shirazi@mail.sbu.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Design of a Low Voltage, Low Power Self-Biased OTA Using FinFET Transistors
|
|
|
|
|
Authors
|
Hassanzadeh Alireza ,Shirazi Mehdi
|
|
Abstract
|
In this paper, a low voltage OTA has been designed and simulated using independent gate FinFET transistors for low power applications. Pseudo differential input stage and selfbias techniques have been used for railtorail operation of the input stage of the amplifier. Furthermore, by using double gate FinFET instead of CMOS transistors, frequency response and power dissipation have been improved. For the independent gate FinFET, one gate has been used for biasing and the other has been used for input signal. DFC method has been used for frequency compensation employing small capacitor. 20nm PTM model has been used for amplifier simulations using HSPICE. Simulation results show that amplifier gain is 39.27dB with 45.05 degrees PM and unity gain frequency is 8.26 MHz with a 3pF loading capacitor. The total power dissipation is 37.75 μW, using 0.5V supply voltage and 0.267V output stage DC voltage.
|
|
Keywords
|
Low power ,Low voltage ,OTA ,Independent gate FinFET.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|