|
|
|
|
بررسی و مقایسه مشخصات الکترونیکی ترانزیستورهای نانو سیم بدون پیوند نوعp با مواد کانالsi ,inp, ingap
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
باجلان فرشاد ,یزدان پناه گوهرریزی آرش ,فائز رحیم ,درویش غفار
|
|
منبع
|
مهندسي برق و الكترونيك ايران - 1397 - دوره : 15 - شماره : 2 - صفحه:1 -7
|
|
چکیده
|
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین غیر تعادلی، عملکرد ترانزیستورهای بدون پیوند با کانال مواد ingap، inp و si مورد بررسی قرار گرفته است. گیت ترانزیستورها از نوع تمام اطراف گیت (gaa) انتخاب شده است. پارامترهایی چون دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان حالت روشن به خاموش در این ادوات مورد بررسی قرار گرفته است. مشکل اصلی ترانزیستورهای بدون پیوند، جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه می باشد. با انتخاب مواد با شکاف باند بزرگ و چگالی حالت بالا در باند ظرفیت می توان جریان حالت خاموش را کاهش داد، بدون اینکه جریان حالت روشن کاهش محسوسی پیدا کند. از این رو ترانزیستور بدون پیوند با کانال ingap دارای مشخصات الکترونیکی بهتری از نظر جریان حالت خاموش و شیب زیر آستانه است. برای این ترانزیستور مقادیر دیبل، شیب زیر آستانه، جریان حالت خاموش، جریان حالت روشن و نسبت جریان روشن به خاموش در طول گیت 10 نانومتر به ترتیب برابر است باmv/v14، mv/dec1/61،a10^-15×2/26، 5.94×10^-6a و9^10×2/62.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستورهای بدون پیوند، دیبل، شیب زیر آستانه، جریان خاموشی، نسبت جریان روشنی به خاموشی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات, دانشکده فنی, ایران, دانشگاه شهید بهشتی, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه صنعتی شریف, دانشکده مهندسی برق, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات, دانشکده فنی, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
darvish_gh@srbiau.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation Performance of p-type Junctionless Field Effect Transistors with InGaP, InP and Si Channel Materials
|
|
|
|
|
Authors
|
bajelan farshad ,yazdanpanah arash ,faez rahim ,darvish ghaffar
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|