ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی‌های سبک در کانال و دی‌الکتریک دو قسمتی

با محدود شدن طول ترانزیستورهای سیلیکونی، ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک گزینه مناسب برای نسل جدید نانو ترانزیستورهای اثر میدانی به شمار می روند. در این مقاله یک ساختار جدید از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی های سبک در کانال و دی الکتریک دو قسمتی معرفی شده است. افزاره پیشنهادی با ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با دی الکتریک دو قسمتی و ساختار پایه مقایسه شده است. افزاره پیشنهاد شده یک نانولوله کربنی زیگزاگ (0, 13) به قطر1 نانومتر است و شامل گیت با دو عایق متفاوت با ثابت های دی الکتریک 16 و 50 می باشد. ناحیه کانال از چهار قسمت ناخالصی نوع p به ترتیب با چگالی های ناخالصی، 1nm0/8، 1nm0/6، 1nm0/4 و 1nm0/2 ساخته شده است. طول هر بخش معادل 5 نانومتر می باشد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد تزریق ناخالصی در کانال به بهبود اثرهای کانال کوتاه همانند کاهش سد پتانسیل ناشی از القای درین و نوسان های زیرآستانه کمک می کند و موجب کاهش جریان نشتی و افزایش نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش می گردد. برای مطالعه و شبیه سازی مشخصات افزاره ی پیشنهاد شده از حل خودسازگار معادله های پواسون شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است.