نقش عملیات حرارتی در استحاله فازی و تغییر ویژگی های الکترونیکی فیلم‌های سیلیکون

فیلم‌هایی از سیلیکون آمورف به روش لایه نشانی فیزیکی فاز بخار به کمک پرتو الکترونی (ebpvd) ایجاد شد. فرآیند لایه نشانی در شرایط خلا بالا (torr 610) که منجر به تشکیل یک پوشش آمورف البته با ضخامت‌های کنترل‌شده انجام شد. پس از نمونه‌سازی، نمونه‌ها در دمای oc800 و در محیط گاز خنثی تحت شرایط عملیات حرارتی قرار گرفت و ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی آن قبل و بعد از عملیات حرارتی مورد تحلیل قرار گرفت. نتایج حاصل از میکرورامان نشان دهنده ساختار آمورف در پوشش های اولیه بود که با افزایش ضخامت پوشش و حضور نقایص بیشتر مقداری از نانوکریستال ها تشکیل شد. علاوه بر آن با اعمال شرایط عملیات حرارتی تشکیل، رشد و ادغام نانوکریستال ها و تشکیل یک ساختار پلی کریستال را شاهد هستیم. نانوکریستال ها منجر به تشکیل پیوندهای sp2 و sp3شده که همین خود باعث افزایش هدایت الکتریکی پوشش در این شرایط شد و این افزایش هدایت الکتریکی با افزایش ضخامت پوشش بر روی نمونه‌های موردبررسی به شدت افزایش یافت.