|
|
|
|
رشد و مشخصه یابی ساختاری و الکتریکی نانو ذرات Si تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ثابت داریانی رضا ,صادق بیگی نرگس
|
|
منبع
|
علوم و مهندسي سطح - 1390 - دوره : 6 - شماره : 1 - صفحه:57 -65
|
|
چکیده
|
نانو ذرات siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتایج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در نتیجه مقاومت سطحی نمونه °75 به مراتب بزرگتر از °85 و نمونه °85 به مراتب بزرگتراز زیر لایه سیلیکان می باشد.مورفولوژی سطحی و تصویر سطح مقطعی فیلمها با استفاده از sem مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان داد که نمونه با تخلخل بیشتر دارای مقاومت سطحی کمتر می شود. همچنین مشخصه i-v پیوندگاه nsi/p-si(111) مورد بررسی قرار گرفت. این پیوندگاه دارای رفتار غیر خطی الکتریکی و دیود گونه می باشد.
|
|
کلیدواژه
|
روش نهشت GLAD (glancing angle deposition) ,نانو ذرات Si ,مقاومت سطحی ,تخلخل ,Glancing Angle deposition ,Silicon Nano Particles ,Surface Resistance ,Porosity
|
|
آدرس
|
دانشگاه الزهرا (س), ایران, دانشگاه الزهرا (س), ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|