|
|
|
|
مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
دشتیانی مسعود
|
|
منبع
|
علوم و مهندسي سطح - 1390 - دوره : 6 - شماره : 1 - صفحه:87 -95
|
|
چکیده
|
مواد cuinte2 و cuinse2 از نوع مثبت (p ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال rh و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در p-cuinte2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk 170 و تغییر rh ، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-77 ثابت می ماند . در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده cuinse2 -p که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از k 150، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.
|
|
کلیدواژه
|
CuInTe2 ,CuInSe2 ,رسانندگی ,ضریب هال ,تحرک هال ,اندیم
|
|
آدرس
|
دانشگاه هرمزگان, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
dashtiani90@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|