>
Fa   |   Ar   |   En
   اندازه گیری گسسته میدانهای آشفته و تعیین موقعیت و وزن حسگرها در ترانسفورماتور ولتاژ نوری  
   
نویسنده منصف حسن ,قمیان طاهر
منبع مجله دانشكده فني دانشگاه تبريز - 1383 - دوره : 31 - شماره : 1 - صفحه:41 -48
چکیده    با توجه به مشکلات موجود در ترانسفورماتورهای لتاژ خازنی و سلفی ، استفاده از ترانسفورماتورهای ولتاژ نوری اجتناب ناپذیر است . حجم و وزن زیاد ، دقت کم ، پهنای باند کم ، تاثیر پذیری از میدانها الکترومغناطیسی خارجی ، اثرات غیر خطی اشباع هسته و مسائل ساخت و نگهداری ترانسفورماتورهای ولتاژ خازنی و سلفی از جمله مشکلات موجود دراستفاده از این ترانسفورماتورهای هستند . در این مقاله یک سیستم اندازه گیری ولتاژ نوری شبیه سازی شده است . با توجه به پیشرفت روز افزون علم اپتیک ، روند ساخت ترانسفورماتورها به سمت استفاده از ابزار آلات نوری کشیده شده است . در این سیستم از چند عدد حسگر میدان الکتریکی استفاده شده است که از ترکیب خروجی آنها با یکدیگر به دقت بالایی دراندازه گیری دست یافته می شود . نتایج شبیه سازی دقت مطلوب این سیستم را نشان میدهد .
کلیدواژه ترانسفورماتور ولتاژ نوری ، پلاریزاسیون ، اثر Pockels ‌، اثر Kerr‌،
آدرس دانشگاه تهران, ایران, دانشگاه علم و صنعت ایران, ایران
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved