مطالعه برخی خواص الکتریکی و ترموالکتریکی ترکیب PbTe)1-x(InGaTe2)x) به ازای دو مول درصد مختلف x=0/5 و x=1 در محدوده دمایی (100-400)K

در این کار تجربی ابتدا نمونه های بسبلور ترکیب سه تایی ingate2 و ترکیب دو تایی pbte سنتز و سپس با در نظر گرفتن جرمهای اتمی ترکیبات فوق، مقادیر معینی از ingate2 , pbte ( به عنوان ناخالصی) با هم مخلوط و دو نوع ترکیب با فرمول (pbte)1-x (ingate2)x به ترتیب با مول درصدهای 5/0=x و 1 =x سنتز گردید. درمرحله بعد، با استفاده از زمپا،‌ تغییرات قدرت ترموالکتریک ( آلفا) و رسانندگی الکتریکی (سیگما) نمونه ها بر حسب دما بررسی و با استفاده از روش الکتریکی - گرمایی،‌ گاف انرژی برای دو ترکیب فوق استنتاج و همچنین تغییرات آن بر حسب مول درصد مورد بررسی قرار گرفت. نتایج تجربی نشان می دهد که ترکیب pbte خالص یک نیم رسانای نوع p می باشد ولی با اضافه کردن 5/0=x و 1=x مول درصد از ترکیب ingate2 به آن، نوع رسانندگی از p به n تغییر می کند. گاف انرژی pbte با افزایش درصد ناخالصی ingate2 افزایش پیدا می کند. افزایش ناخالصی تا یک مقدار مشخص ( حدود 5/0 درصد مولیی) موجب افزایش رسانندگی الکتریکی شده و افزایش بیشتر از آن موجب کاهش رسانندگی الکتریکی می گردد. قدرت ترموالکتریکی با افزایش دما افزایش می یابد و مقدار بیشینه آن برای ترکیبی که ناخالصی آن کمتر می باشد، بیشتر است.