بررسی عددی میدان جریان و دما جهت بهبود انتقال حرارت نانوسیال تحت تاثیر میدان مغناطیسی

در این مقاله انتقال گرمای جابجایی توام آزاد و اجباری در یک محفظه cشکل حاوی نانوسیال به روش عددی بررسی شده است. این جریان از پایین محفظه وارد شده و از بالا خارج شده و دیوارهٔ در ارتباط با سیال در دمای th در نظر گرفته شد. محفظه تحت اثر میدان مغناطیسی یکنواختی قرار دارد. معادلات حاکم بر جریان از روش حجم کنترل و استفاده از الگوریتم سیمپل حل شده‌اند و میدان‌های جریان، دما و میزان انتقال گرما پیش بینی شد. بررسی‌ها به ازای تغییر اعداد ریچاردسون (ri)، رایلی (re)، هارتمن (ha) و درصد حجمی نانوذرات در حالت دائم انجام شده است. نتایج این بررسی حاکی نشان داد با افزایش عدد رایلی از 10^3 به 10^5، بیشترین مقدار افزایش انتقال حرارت (افزایش مقدار تایع جریان) از 0.9 به 16.06 m^2/s است ولی با افزایش عدد ریچاردسون از 0.1 به 10، بیشترین کاهش انتقال حرارت از 11.02 به 5.58 m^2/s اندازه‌گیری شد. مولفه‌های مورد بررسی در پژوهش حاضر به صورت همزمان، در کارهای دیگر مورد توجه قرار نگرفته است.