|
|
بررسی ویژگیهای ساختاری، اپتیکی و گرمایی ایندیم نیترید در فازهای فشار بالا
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صالحی حمدالله ,نواصر نادیا
|
منبع
|
علوم، مهندسي و فناوري هسته اي - 1399 - دوره : 93 - شماره : 3 - صفحه:155 -161
|
چکیده
|
در این مقاله ویژگیهای ساختاری، الکترونی، اپتیکی و گرمایی ایندیم نیترید در فازهای تحت فشار مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل، در چارچوب نظریه ی تابعی چگالی و با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو با تقریب های lda، gga و انجام شده است. نتایج نشان میدهد که ایندیم نیترید در فاز تحت فشار خاصیت نیمه رسانایی خود را حفظ کرده و دارای ضریب شکست استاتیک 75/2 می باشد. هم چنین بیش ترین سهم در نوار ظرفیت مربوط به اوربیتال s اتم نیتروژن و در نوار رسانش مربوط به اوربیتالهای s و p اتم ایندیم است. نتایج به دست آمده از ویژگی های اپتیکی حاکی از انطباق تقریبی ساختار نواری با سهم موهومی تابع دی الکتریک و هم چنین برابری تقریبی گاف نواری با گاف اپتیکی است. نتایج به دست آمده با دیگر داده های موجود سازگاری دارد.
|
کلیدواژه
|
نظریهی تابعی چگالی، ایندیم نیترید، گاف نواری، گاف اپتیکی
|
آدرس
|
دانشگاه شهید چمران اهواز, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه شهید چمران اهواز, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Investigation of structural, optical, and thermal properties of indium nitride in high pressure phases
|
|
|
Authors
|
Salehi H. ,Navasr N.
|
Abstract
|
In this paper, the structural, electronic, optical, and thermal properties of indium nitride in the pressure phases are investigated. The calculations are performed using the pseudopotential method in the framework of density functional theory and by using the quantumespresso Package. In the calculations, the exchangecorrelation terms of LDA, GGA, and PBE0 approximation are used. The results show that indium nitride retains its semiconducting properties under the pressure phase and has a static refractive index of 2.75. And the largest part in the valence band is related to the orbital s of the N atom and in the conduction band is to the orbitals of s and p of the In atom. The results of the optical properties show that the band structure approximation corresponds to the imaginary contribution of the dielectric function as well as the approximate equality of the bandgap to the optical bandgap. The results are consistent with other available data.
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|