|
|
|
|
پیش‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4sigep) با استفاده از روش ابتدا به ساکن
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ناصری مصیب ,جلیلیان جعفر ,صالحی خالد
|
|
منبع
|
علوم، مهندسي و فناوري هسته اي - 1398 - دوره : 90 - شماره : 4 - صفحه:62 -69
|
|
چکیده
|
این مقاله نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4sigep) را در فاز پنج گوشی با استفاده از محاسبه های ابتدا به ساکن مبتنی بر نظریه ی تابعی چگالی و با بهره گیری از نرم افزارهای وین و کوانتوم اسپرسو و متریالز استودیو پیش یابی نموده و خواص الکتریکی آن را مورد بررسی قرار می دهد. پایداری ترمودینامیکی، دینامیکی و گرمایی این نانو ساختار به ترتیب با محاسبه ی انرژی همبستگی ساختار، نمودار پاشندگی فونونی و شبیه سازی دینامیک مولکولی ارزیابی و تایید شده است. نتیجه های محاسبه ها نشان می دهد که تک لایه ی سیلیسیم ژرمانیم فسفید یک نیم رسانای غیر مستقیم با گاف انرژی حدود ev 1.95 است که با اعمال کشش و کرنش دوبعدی قابل تنظیم است. ویژگی های منحصربه فرد این نانو ساختار امکان استفاده از آن را در ابزارهای الکترونیکی در مقیاس نانو و به طور خاص در حسگرهای الکترو مکانیکی فراهم می کند.
|
|
کلیدواژه
|
نانوساختار دوبعدی، سیلیسیم ژرمانیم فسفید، نیم‌رسانای غیر‌مستقیم، نمودار پاشندگی فونونی
|
|
آدرس
|
دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه یاسوج, دانشکده علوم, گروه فیزیک, ایران, دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه, گروه فیزیک, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
First principles prediction of 2D SiGeP4 monolayer: electronic properties investigation
|
|
|
|
|
Authors
|
Naseri M ,Jalilian J ,Salehi Kh
|
|
Abstract
|
Since the discovery of graphene in 2004, twodimensional (2D) materials have attracted broad interest due to their outstanding electronic and optical properties. In 2014, a new carbon allotrope named pentagraphene ids theoretically was predicted. The advent of pentagraphene inspired various explorations for new pentagonal 2D nanostructures. In this paper, by using the first principles calculations based on the density functional theory as implemented in Wien2K, Quantum Espresso, and Material Studio codes, a new two dimensional pentagonal SiGeP2 monolayer is predicted. The structural, kinetic, and thermal stabilities of the newly found monolayer are evaluated and confirmed by cohesive energy computation, phonon dispersion calculation, and first principles molecular dynamics simulations, respectively. The electronic properties investigations reveal that the predicted monolayer has a strain tunable indirect bandgap of 2.95 calculated by the GGAPBE level of theory. Through, the presence of a narrow phonon bandgap between acoustic and optical modes suggests its application in electromechanical resonators.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|