بررسی اثر تهی‌جا در ساختار الکترونی بلور 3o2α-Al

در این مطالعه ساختار الکترونی لوزوجهی (رمبوهدرال) 3o2α-al مورد بررسی قرار گرفت. ساختار α آلومینا متعلق به گروه فضایی  و لوزوجهی با دو واحد فرمولی (10 اتمی) در سلول واحد اولیه است. هرچند ساختاری که بیش تر مورد استفاده قرار می‌گیرد، شش گوش ه ای (هگزاگونال) شامل 12 اتم آلومینیم و 18 اتم اکسیژن، 6 واحد فرمولی است. نقش نقص ها در شبکه ی بلوری به خصوص نقص تهی جا در این مقاله مورد بررسی قرار گرفته است. تغییرات ساختار نواری در نبود یکی از اتم های o یا al ارزیابی شده است. محاسبه های انجام شده (با استفاده از کد شبیه سازی کوانتوم اسپرسو) نشان داد که 3o2αal یک گذار مستقیم در نقطه ی γ دارد و گاف انرژی به دست آمده از نظریه ی تابع چگالی (dft)،ev  6.3 است. هم چنین تهی جای o بیش تر از تهی جای al بر روی ساختار الکترونی بلور c:3o2α-al تاثیرگذار بوده و در افزایش پاسخ این بلور به عنوان آشکارساز موثر است.

Investigation of vacancies effects on the electronic structure of αAl2O3 crystal

In this study, the electron structure of the αAl2O3 rhombohedral graft has been investigated. The alphaalumina structure belongs to the space group R3c and the rhombohedral with two units of formula (10 atoms) in the primary unit cell. Although the most widely used structure is hexagonal, it consists of 12 aluminum atoms and 18 atomic oxygen units, six units of formulas. The role of defects in the crystalline network, especially the vacancy defect, is investigated in this work. The band structure changes are evaluated in the absence of one of the O or Al atoms. The calculations showed that αAl2O3 has a direct transition at Γ, and the energy gap obtained from the density functional theory (DFT) method is 6.3 eV. Also, the depletion effect of O is higher than that of Al on the crystal electron structure: αAl2O3:C, and is useful in increasing the response of this crystal as a detector.