|
|
|
|
اثر سد پتانسیل بر توان ایستانندگی کانال های محوری بلور سیلیکون برای پروتون
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
شفیعی سپیده ,لامعی رشتی محمد
|
|
منبع
|
علوم، مهندسي و فناوري هسته اي - 1393 - شماره : 70 - صفحه:9 -18
|
|
چکیده
|
اثر سد پتانسیل و محدوده ی باز کانال بر توان ایستانندگی کانالهای محوری و سیلیکون و نیم مسافت کانال زنی برای پروتون مورد بررسی قرار گرفت. توان ایستانندگی و نیم مسافت کانالزنی برای پروتون در این راستاها با استفاده از شبیهسازی طیفهای پسپراکندگی رادرفورد نظیر راستاهای کانالی در بازهی انرژی 1800 تا kev 2200 اندازهگیری شد. در شبیهسازی طیفهای پسپراکندگی رادرفورد نظیر راستاهای کانالی، فرض شد که فرایند فرار یونها از راستای بلوری رفتار نمایی دارد. نشان داده شد که با افزایش سد پتانسیل و محدودهی باز کانال، توان ایستانندگی کاهش، ولی نیم مسافت کانالزنی افزایش مییابد.
|
|
کلیدواژه
|
سد پتانسیل، توان ایستانندگی، کانال های محوری، نیم مسافت کانال زنی، بلور سیلیکون
|
|
آدرس
|
سازمان انرژی اتمی ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هستهای, پژوهشکده ی فیزیک و شتاب گرها, ایران, سازمان انرژی اتمی ایران, پژوهشگاه علوم و فنون هستهای, پژوهشکده ی فیزیک و شتاب گرها, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
mlamehi@aeoi.org.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The effect of potential barrier on stopping power along axis channel of silicon for protons
|
|
|
|
|
Authors
|
Shafiei Sepideh ,Lamehi-Rashti Mohammad
|
|
Abstract
|
In this paper, the effect of the potential barrier and open area of Silicon along the crystallographic direction and on the channeling stopping power and the channeling half distance for protons are investigated. The channeling stopping power and the channeling half distance for protons are measured by simulation of the channeling spectra in the energy range of Ep=18002200keV. It is assumed that the dechanneling process behaves exponentially. It showed that the channeling stopping power for protons decreases when the potential barrier and open area of channel increase. Furthermore, the channeling half distance increases by increasing the open area of the channel.
|
|
Keywords
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|