تاثیر افزودن سولفید کادمیم بر اتصال p-n

افزایش گرمای کره زمین و نیاز روز افزون به انرژی موضوعات مهمی هستند که موجب گسترش انواع انرژی تجدید پذیر شده است. هدف بررسی اثر افزودن سولفیدکادمیم و سولفیدروی در سولفیدمس و سولفیدسرب و بهبود حساسیت سل ساخته شده به روش جذب و واکنش متوالی لایه یونی در شرایط نور و تاریکی است. بهترین سل ساخته شده در طی انجام این پروژه سل 8cus/2cds / 8 pbs (0.5 m)  / cu sheet می‌باشد. بیشترین اختلاف شدت جریان تاریکی و نورسل مذکور در پتانسیل یک ولت 14 میلی آمپراست. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی سل مذکور نشان داد ذرات نیمه هادی در حد نانومتر است. بررسی خاصیت فتوالکتروشیمیایی به کمک تکنیک های الکتروشیمیایی کرونوآمپرومتری، ولتامتری چرخه ای و کرونوپتانسیومتری انجام شده است .

the effect of adding cadmium sulfide on p-n junction

rising global warming and the growing need for energy are important issues that lead to the proliferation of renewable energy. the aim of  this project was to investigate the effect of adding cadmium sulfide and zinc sulfide in copper(ii) sulfide and lead(ii) sulfide to improve the sensivity by successive ionic layer adsorption and reaction method in light and dark conditions. the best sell made during this project cu sheet /8cus/2cds / 8 pbs  (0.5 m). the largest difference between the current intensity in the dark and  light for this cell in the potential of one volt is 14 ma. sem images of the cell showed that the semiconductor particles were in the nanometer range. the photoelectrochemical properties have been investigated using electrochemical techniques of chronoamperometry, cyclic voltammetry and chronopotentiometry.