مطالعه نظری ساختار هندسی و الکترونی مشتق های 1,4 بیس(دیفنیل‌آمینو)بنزن و بررسی کارآمدی این ترکیب ها به عنوان ماده انتقال حفره در دیودهای نورگسیل آلی (oled)

تلاش مبنی بر افزایش بهره تابشی چشمه های نورگسیل آلی از زمینه های مهم پژوهشی روز به شمار می رود. ظرافت، دقت و شرایط بسیار ویژه لایه نشانی، در کنار ماندگاری و بهره تابشی از چالش های مهم فناوری یاد شده محسوب می شود. از سویی توسعه روش های نوین مکانیک کوانتومی همچون نظریه تابعی چگالی (dft) و دیگر روش های نوین امروزی، امکان شبیه سازی و غربالگری را برای بسیاری از مواد دارای کاربرد صنعتی فراهم کرده است. در این پژوهش با استفاده ازروش تابعی چگالی dft، کارآمدی دسته ای از مشتق ها 1,4 بیس(دی‌فنیل‌آمینو)بنزن به عنوان یک الگوی شیمی فیزیکی برای کاربرد در سامانه های نورگسیل آلی موسوم به oled ارایه شد. همچنین، محاسبه های مربوط به بازآرایی الکترون حفره، انرژی یونش و الکترون خواهی در کنار سایر ویژگی های فوتو ولتایی افزون بر تایید کارآمدی این سامانه ها، اثر کلیدی استخلاف در ویژگی های این ترکیب ها به عنوان لایه انتقال حفره در دیودهای نورگسیل آلی را پیش بینی می نماید.

Geometry and Electronic Structure of Diphenylamino Benzene Derivatives and Their Applications on OLED Devices

Recently, developments of the energetic sources attracted lots of attention since of its great importance. In this regard looking for the new generation of light sources is quite vital. OLED is one the best light sources which have great advantages, thus it has been a hot research topic now a day, especially to find the best material increasing its efficiency. Although the research topic is quite important, the required technology for is experimental study is significantly expensive. In this paper, we have presented a nice DFTbased theoretical method applicable for studying the efficacy of guest materials in OLED systems.