بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکترونی ترکیب‌های aggax2(x=se,s,te) و cusbx2(x=se,s,te) با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی

در این مطالعه ویژگی های ساختاری از جمله ثابت های شبکه، مدول حجمی و الکترونی ترکیب های (x=s,se,te) aggax2 وcusbx2 (x=s,se,te) در حالت انبوه در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و روش موج های  تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل (fp-lapw) با استفاده از نرم افزار wien2k محاسبه شده است. هم چنین برای بررسی ویژگی های الکترونی این ترکیب ها، چگالی حالت های کل، ساختار نواری، چگالی حالت های جزیی و چگالی ابر الکترونی رسم شده اند. نتیجه های به دست آمده نشان می دهد که هر سه ترکیب نیم رسانا دارای گاف مستقیم در نقطۀ γ می باشد. با توجه به چگالی ابر الکترونی و چگونگی توزیع ابر الکترونی در اطراف اتم ها، نشان م ی دهد که پیوند بین ات م ها در ترکیب های(x=s,se,te) aggax2 وcusbx2 (x=s,se,te) کووالانسی است. هم چنین با استفاده از منحنی های چگالی حالت ها، چگونگی هم پوشانی اربیتال ها بیان شده اند. از سویی با رسم نمودار ساختار نواری ترکیب ها با تقریب های گوناگون برای انرژی تبادلی همبستگی، میزان و دقت گاف های نواری ترکیب ها مشخص شده است که نتیجه های به دست آمده با دیگر نتیجه های تجربی موجود سازگار می باشد.

Investigation of Structural and Electronic Properties of AgGaX2(X=S,Se,Te) and CuSbX2(X=S,Se,Te) Compounds Using Density Functional Theory

In this Research, structural and electronic properties of AgGaX2(X=S, Se, Te) and were studied using full potential linear augmented plane wave (FP-LAPW) within the framework of density functional theory using Wien2k code. The lattice constants, bulk modulus (B), and its first derivative (B’) were calculated to investigate the structural properties. Total and partial density of states, band structure, and electron density were plotted to investigate the electronic properties of all materials. All compounds were semiconductors with direct bandgap energy in Γ point and the results are found to agree with the experiment. The orbital overlap was explained by using the partial density of states, also electron density shown that AgGaX2(X=S, Se, Te) and CuSbX2(X=S, Se ,Te) compounds have covalent bonds.