بررسی ناهمسانگردی مغناطیسی در میکروسیم های کبالت پایه

در این پژوهش، ناهمسانگردی مغناطیسی سیم کبالت پایه ی مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور از مغناطیس سنج ارتعاشی برداری (vvsm) استفاده شد که می تواند مولفه های مغناطش در راستای طولی و عرضی را همزمان اندازه گیری کند. میدان مغناطیسی با زوایای مختلف نسبت به محور سیم اعمال شد و مغناطش، همزمان در دو راستای x و y اندازه گیری شد. با افزایش زاویه ی اعمال میدان و راستای سیم، مولفه ی مغناطش در راستای x کاهش و برعکس مولفه ی مغناطش در راستای y افزایش را نشان داد. نتایج به دست آمده، با توجه به ساختارهای مغناطیسی غیر معمول حوزه های سیم، توضیح داده شد.