بررسی ویژگی های ساختاری و الکتریکی نانوکامپوزیت های دورگه ی Al2o3/Pvp(به عنوان درگاه دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی آلی)

نمونه های پودری نانوکامپوزیت دورگه ای al2o3/pvp به روش سل-ژل در دمای 80 درجه ی سانتی گراد سنتز شده اند. درصد وزنی پلی وینیل فنول و اکسید آلومینیوم برابر صفر، 28/0، 56/0 و 84/0 بوده است. برای بررسی ویژگی های نانوساختاری از روش فراپراشی پرتو ایکس، بیناب سنجی تبدیل فوریه فروسرخ، میکروسکوپ الکترونی روبشی، و میکروسکوپ نیروی اتمی استفاده شد. ثابت دی الکتریک نمونه ها با استفاده از روش gps 132 a محاسبه شدند. برپایه ی نتایج بدست آمده بالاترین مقدار ثابت دی الکتریک در بسامد 120 کیلوهرتز وابسته به نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp(35 =k ) و در بسامد 1 کیلوهرتز وابسته به نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 56/0 درصد از pvp (26 = k) است. بنابراین در فرکانس 120 کیلوهرتز، نمونه ی ریزنهشته با ترکیب وزنی 28/0 درصد از pvp به سبب برخورداری از ضخامت معادل اکسیدی بالاتر، میزان زبری کمتر، خواص اهمی و i-v بهتر و کوچکی اندازه ریزبلورک ها (قطر شِرِر برابر با nm 45)، و ثابت دی الکتریک بالاتر و در نتیجه جریان نشتی کمتر، به عنوان درگاه دی الکتریک در ترانزیستورهای اثر میدانی توصیه می شوند.