ساخت و بررسی خواص مغناطیسی و دی الکتریکی نانوذرات هگزافریت استرانسیوم نوع M

در این مقاله، نانوذرات هگزافریت استرانسیوم نوع m (srfe12o19) به روش سل- ژل احتراقی تهیه شدند. برای به دست آوردن دمای پخت بهینه، از آنالیز توزین گرمایی (dta/tg) استفاده شد. براساس نتایج به دست آمده از این آنالیز، ژل خشک پودری هگزافریت استرانسیوم در دماهای c°750 تا c°1050 و در زمان های پخت 4 تا 7 ساعت پخت صورت گرفت. خواص ساختاری و ریخت شناسی نمونه ها به وسیله ی طیف پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف فروسرخ- تبدیل فوریه (ft- ir) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) بررسی شدند. همچنین خواص مغناطیسی و دی الکتریک نمونه ها، به وسیله ی مغناطیس ارتعاشی (vsm) و دستگاه lcr متر، در دمای اتاق اندازه گیری شدند. نتایج حاصل از اندازه گیری های مغناطیسی نمونه ها نشان می دهد که در پذیرفتاری مغناطیسی هر نمونه، تنها یک قله وجود داشت که با نتایج به دست آمده از الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها، مبنی بر تک فاز بودن نمونه ها همخوانی داشت. همچنین اندازه گیری های دی الکتریکی نمونه ها نشان می دهد که با افزایش بسامد، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک نمونه ها کاهش می یابد. که این روند کاهش نشان دهنده ی رفتار طبیعی فریت هاست. نتایج xrd نشان داد که نمونه ی با دما و زمان پخت حدود c°950 و 4 ساعت تک فاز است. طیف ft- ir نشان داد که وجود قله های جذبی در گستره ی cm-1580 -560 و cm-1470 -430 در همه ی نمونه ها، به ترتیب بیانگر تشکیل خوشه های چهاروجهی و هشت وجهی اکسیدهای فلزی در فریت ها هستند. همچنین اندازه ی نانوذرات بر اساس تصاویر sem در حدود 70 نانومتر است.