بررسی تغییرات نوار انرژی الکترون‌های مغزی برای شناسایی عیوب شبکه نانوالکتروسرامیک batio3 آلاییده شده با غلظت‌های مختلف عنصر nb

در این پژوهش، عیوب شبکه بلوری نانوالکتروسرامیک batio3 آلاییده شده، با مقادیر متفاوتی از عنصر پنج ظرفیتی nb با طیف سنج پوزیترونی بررسی گردید. کاهش طیف پس‌زمینه ناشی از یک سامانه تشخیص همزمانی در طیف‌سنجی پهن شدگی داپلری امکان بررسی سهم الکترون‌های مغزی با تکانه بالا را در فرایند نابودی پوزیترون در ساختار bt(1-x)o:nbx (x=0, 0.03, 0.05, 0.07) را فراهم می آورد. نتایج نشان می دهد که نخست با افزایش ورود ناخالصی تا 05/0 درصد مولی، بدلیل جانشینی nb با ti از شدت نقص ها به ویژه نقص حجم باز کاسته شده و با افزایش بیشتر غلظت ناخالصی بر مقدار نقص تهیجا افزوده می شود.       

investigating of the energy band of core electrons to identify the defects of batio3 nanoelectroceramic doped with different concentrations of nb element

in this study, the relationship between the defects of batio3 doped by different amounts of pentavalent element nb was investigated by positron spectroscopy. the reduction of the background spectrum caused by a coincidence detection system in doppler broadening spectroscopy allows the contribution of high-momentum core electrons in the process of positron annihilation in the bt(1-x)o:nbx structure (x=0, 0.03, 0.05, 0.07) should be investigated. the results obtained show that initially by increasing impurity up to 0.05 mol% due to co-substitution of nb with ti, the amount of defects, especially open volume defects, is reduced and with further increase in concentration, the amount of vacancy defects increases.