بررسی ویژگی‌های ساختاری و الکتریکی لایه‌های نازک پنتااکسید وانادیوم آلاییده با ایندیوم تهیه‌شده به روش گرما کافت افشانه‌ای

نانوساختارهای پنتااکسید وانادیوم آلاییده با درصدهای وزنی مختلف ایندیوم (0، 10، 20 و at.%30 در محلول) به روش گرما کافت افشانه ای (اسپری پایرولیزیز) تهیه شدند. لایه های نازک تهیه شده به کمک پراش پرتو ایکس(xrd)، تصویربرداری با میکروسکوپ الکترونی روبشی (sem) و آزمایش اثر هال مشخصه یابی شدند. نتایج xrd نشان داد که لایه های نازک در فاز چارگوشی بلوری می شوند. افزایش مقدار ایندیوم به شدت منجر به افزایش بی نظمی نانوساختارها و کاهش اندازه بلورک ها شده به طوری که اندازه بلورک ها با افزودن 30% وزنی ایندیوم به پنتااکسید وانادیوم تا بیش از 50% نسبت به نمونه خالص کاهش یافته است. تصاویر sem لایه‌ها را نانوساختارهای تک فاز تشکیل شده از نانومیله و نانوتسمه هایی با پهنای متوسط nm 100-50 نشان داد. اندازه‌گیری‌های اثر هال نشان داد که نمونه‌های مورد بررسی همه نیمرسانای نوع n هستند و مقاومت آنها با افزایش ایندیوم افزایش یافته است که این را نیز می‌توان به افزایش بی‌نظمی ساختاری نمونه ها نسبت داد.

Structural and electrical properties of In-doped vanadium oxide thin films prepared by spray pyrolysis

The Indoped vanadium pentoxide nanostructures with different doping levels including 0, 10, 20 and 30 at.% were prepared by the spray pyrolysis technique. The prepared thin films were characterized by the xray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). The XRD results revealed that the films were crystalline in tetragonal phase. Increasing the Indoping level made the structure more disordered and decreased the crystallite size up to more than 50% for V2O5: In30at.% with respect to the pristine sample. The SEM results showed single phased nanorod and nanobeltshaped V2O5 structures with average diameters of 50100 nm. The Hall effect measurements showed that all the involved films are ntype semiconductors whose resistance increases with In content; this also can be related to the enhanced structural disorder of the samples.