بررسی اثر ناخالصی گالیم بر ویژگی‌های ساختاری، ریزساختاری و نوری لایه‌های نازک اکسید روی تهیه شده به روش افشانه گرمایی

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی با ناخالصی گالیم به روش اسپری پایرولیزیز تهیه و اثر ناخالصی گالیم بر ویژگی های ساختاری و اپتیکی آنها بررسی شد. لایه های zno خالص و zno:ga با ناخالصی گالیم از 1 تا 5 درصد در دمای بستر 350 درجه سانتی گراد تهیه شدند. نتایج پراش پرتوی x نشان می دهد که لایه های zno دارای ساختار بلوری ورتسایت با راستای ارجح (002) هستند و با افزایش مقدار ناخالصی، متوسط اندازه ی بلورک ها از 39.1 تا 16.1 نانومتر تغییر می کند. ویژگی های نوری همه نمونه ها از جمله طیف های عبوری و جذبی با استفاده از طیف سنج مرئیفرابنفش (uvvis) بررسی شد که برپایه این داده ها، مقادیر گاف انرژی تعیین شد. نتایج نشان می دهد که عبور لایه ها در ناحیه مرئی بیش از 90% است. و گاف انرژی از ev 3.29 در نمونه خالص، با افزایش ناخالصی گالیم تا 5 درصد، به ev 3.38 افزایش می یابد.

The effect of Ga-doping on the structural and optical properties of ZnO thin films prepared by spray pyrolysis

In this research, zinc oxide thin films with gallium impurity have been deposited using the spray pyrolysis technique. The structural and optical properties of these films are investigated as a function of gallium doping concentrations. The ZnO and ZnO:Ga films grown at a substrate temperature of 350 ordm;C with gallium doping concentrations from 1.0 to 5.0.%. The XRD analysis indicated that ZnO films have nanocrystalline wurzite structure with (002) preferential orientation and grain size varied from 39.1 to 16.1 nm. The optical properties of the thin films have been performed using UVVis spectrophotometer and band gap energy values are determined. The results show that the transmittance of these films was higher than 90% in the visible region and by adding Ga up to 5.0%, band gap films have been increased.