بررسی تجربی و نظری ویژگی‌های لایه‌های نازک اکسید روی آلاییده شده با آلومینیم

در این پژوهش، لایه های نازک اکسید روی با ناخالصی آلومینیم به روش افشانه گرمایی بر زیرلایه های شیشه ای نشانده شدند. نخست ساختار بلوری لایه ها با استفاده از پراش پرتو ایکس بررسی شد و سپس ویژگی های نوری آنها با استفاده از طیف عبوری بررسی گردید. افزون بر این، به منظور شناخت اثر ناخالصی آلومینیم بر ساختار الکترونی اکسید روی، ساختار نواری هر دو ماده اکسید روی و اکسید روی آلاییده با آلومینیم با استفاده از محاسبات ابتدا به ساکن در چارچوب نظریه تابعی چگالی محاسبه شد. نتایج بررسی ها نشانگر آن است که لایه ها باساختار ششگوشی ورتسایت به صورت بسبلور رشد کرده اند و اندازه بلورک ها در راستای (002) برابر با 25.41 نانومتر و میزان گذردهی در ناحیه مرئی بیش از 80 درصد است. همچنین انتقال انرژی فرمی به داخل نوار رسانش نشان می دهد که آلومینیم در افزایش رسانش الکتریکی و تغییر آستانه گذردهی نوری لایه ها بسیار موثر است.

An experimental and theoretical study on the physical properties of Al doped ZnO thin films

In this research, ZnO thin films with Al impurity as dopant were coated onto cleaned glass substrates by the spray pyrolysis technique. Crystal structure of the thin films was studied via XRD, and UVvis spectroscopy was carried out to investigate their optical properties. Finally, in order to study the effect of Al impurity in ZnO thin films, the band structures of both pure and doped systems were calculated and compared using ab initio calculations in the frame work of DFT. The results show that polycrystalline thin films with hexagonal wurtzite structure have been grown, and the crystal size of the (002) ones is 25.41 nm. Moreover, the transmission in the visible region is more than 80%. Furthermore, Fermi energy is shifted into the conduction band in the case of Al doped ZnO which leads to increasing the electrical conductivity and changing the optical transmission threshold.